锭生长装置
授权
摘要
本实用新型公开锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过接收电源来产生磁场，借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基座进行加热；以及绝热部件，配置于上述线圈与上述基座之间。
基本信息
专利标题 ：
锭生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022889854.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
CN216237375U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李泳敏李京锡朴镇成裵东佑
申请人 ：
韩华思路信
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202022889854.3
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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