锭生长装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开锭生长装置。在本发明一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本发明的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；以及主坩埚倾斜部，设置有从上述主坩埚侧面部朝向上侧及外侧延伸而成的倾斜面，当从上述主坩埚侧面部的上侧向上述主坩埚的内部供给熔融硅时，沿着上述倾斜面向上述主坩埚的内部引导上述熔融硅，从而可防止上述熔融硅向上述主坩埚的周边飞溅。
基本信息
专利标题 ：
锭生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277439A
申请号 ：
CN202011414600.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金漌镐李京锡朴镇成
申请人 ：
韩华思路信
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202011414600.4
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/02 C30B15/12 C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20201203
申请日 : 20201203
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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