节能型锭生长装置
公开
摘要
本发明公开节能型锭生长装置。本发明的节能型锭生长装置包括：腔室，在内部设置有坩埚，为了使得硅熔融而通过热源来对上述坩埚进行加热；侧面绝热材料，以对上述坩埚的侧面进行绝热的方式设置于上述腔室的内侧；以及观察部，以能够观察上述坩埚的内部的方式贯通上述腔室和侧面绝热材料来设置。
基本信息
专利标题 ：
节能型锭生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293255A
申请号 ：
CN202011412780.2
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李英俊朴镇成全韩雄
申请人 ：
韩华思路信
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈万青
优先权 ：
CN202011412780.2
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00 C30B15/26
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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