一种新型的晶体连续快速生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种新型的晶体连续快速生长装置，属于生产过程设备领域。装置包括培养装置、过热过滤装置、溶液配制装置、高饱和度平衡装置和生长溶液循环装置。溶液配制罐内溶剂和溶质共存，通过控制温度进行溶解，可使溶液所溶解的溶质含量接近溶解温度下的平衡溶质浓度。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度，从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度，保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。生长溶液输送泵以可调节的流速抽取生长溶液在培养罐、过热过滤箱、溶液配制罐、高饱和度平衡箱之间循环。本实用新型装置提高了大尺寸晶体的生长速度。
基本信息
专利标题 ：
一种新型的晶体连续快速生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021850351.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN212270275U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
潘丰
申请人 ：
江南大学
申请人地址 ：
江苏省无锡市蠡湖大道1800号
代理机构 ：
大连理工大学专利中心
代理人 ：
刘秋彤
优先权 ：
CN202021850351.9
主分类号 ：
C30B7/08
IPC分类号 ：
C30B7/08 C30B29/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/08
溶液冷却法
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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