使用内嵌缺陷信息的裸片筛选

授权

摘要

本文中的实施例包含使用内嵌缺陷信息进行裸片筛选的方法、系统及设备。此类实施例可包含：接收多个缺陷；接收多个裸片的晶片分检电气数据；将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害；确定所述所关注缺陷中的每一者的所关注缺陷置信度；确定含有所述所关注缺陷中的至少一者的所述裸片中的每一者的裸片退回指数；确定裸片退回指数切割线；及产生上墨图。所述缺陷中的每一者可与所述多个裸片中的裸片相关联。所述裸片中的每一者可被标记为通过晶片分检电气测试或未通过所述晶片分检电气测试。将所述缺陷中的每一者分类为所关注缺陷或妨害可使用缺陷分类模型完成，所述缺陷分类模型可包含机器学习。可将所述上墨图以电子方式传递到上墨系统。

基本信息

专利标题：

使用内嵌缺陷信息的裸片筛选

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113574645A

申请号：

CN202080018079.4

公开（公告）日：

2021-10-29

申请日：

2020-03-26

授权号：

CN113574645B

授权日：

2022-05-17

发明人：

林璿正G·米那什桑多蓝

申请人：

科磊股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘丽楠

优先权：

CN202080018079.4

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/66 G01N23/2251

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2022-03-11 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200326

2021-10-29 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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