制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法
实质审查的生效
摘要
一种包括垂直电阻式存储器单元的半导体结构及其制造方法。所述方法包括：在晶体管漏极接触件上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第一电介质层；形成穿过所述第一电介质层的单元接触孔；形成穿过所述第一电介质层的接入接触孔并暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层由此形成连接所述单元接触孔的底部开口和所述接入接触孔的底部开口的腔体；在所述单元接触孔中通过原子层沉积形成包括接缝的第二电介质层；在所述空腔内形成底部电极，并且所述底部电极与所述漏极接触件、所述第二电介质层和所述接缝接触；以及在所述第一电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述第二电介质层和所述接缝接触。
基本信息
专利标题 ：
制造具有垂直的预定灯丝的电阻式存储器的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270514A
申请号 ：
CN202080059566.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·帕克程慷果谢瑞龙李忠贤
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
申发振
优先权 ：
CN202080059566.5
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/105
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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