具有两种电阻材料层的非易失性存储器件
授权
摘要
本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
基本信息
专利标题 ：
具有两种电阻材料层的非易失性存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815770A
申请号 ：
CN200510136129.6
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑镛洙朴允童柳寅儆李明宰徐顺爱金惠英安承彦徐大卫
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510136129.6
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2007-10-03 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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