低耐热性传感器的制造方法
公开
摘要
本发明提供一种耐药品性优异并且防水性、防尘性优异的低耐热性传感器的制造方法。低耐热性传感器的制造方法至少包括:将传感器单元配置在氟树脂制的收纳构件的凹部内，并且将电缆插通在穿过所述凹部内的贯通孔中，并将配置在所述凹部内的传感器单元与所述电缆进行电连接的工序；配置氟树脂制的板以堵住所述凹部的开口，从而盖住所述凹部的工序；用氟树脂制的管覆盖所述电缆的工序；配置氟树脂制的框体使其包围所述板的周围的工序；使所述框体、所述收纳构件和板进行热接合的工序；以及使所述收纳构件和所述管进行热接合的工序。
基本信息
专利标题 ：
低耐热性传感器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424031A
申请号 ：
CN202080066234.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐藤央隆米田哲也
申请人 ：
株式会社华尔卡
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞丹
优先权 ：
CN202080066234.X
主分类号 ：
G01D11/24
IPC分类号 ：
G01D11/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D11/00
非专用于特定变量的测量装置的组件
G01D11/24
外壳
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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