一种钴基多层膜及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
基本信息
专利标题 ：
一种钴基多层膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113046709A
申请号 ：
CN202110205965.4
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2021-02-24
授权号 ：
CN113046709B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
徐秀兰于广华冯春滕蛟黄意雅
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹卫良
优先权 ：
CN202110205965.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/18 C23C14/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210224
申请日 : 20210224
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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