一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用

授权

摘要

本发明公开了一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法，以及在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以具有刚性共轭大平面的吲哚并咔唑为母核，改善分子堆积并提升材料的空穴传输性能；以羧酸和磷酸基团为末端实现单分子自组装并钝化钙钛矿界面，减少界面处能量损失，提高电池性能。本发明合成方法简单，合成成本低廉，所制备的材料能实现空穴传输和钙钛矿界面钝化双重功能。该材料应用于倒置钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层时，无需掺杂即可获得>1.1V的高开路电压和>19％的光电转化效率，具有广阔的应用前景。

基本信息

专利标题：

一种自组装单分子层型非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113173923A

申请号：

CN202110255551.2

公开（公告）日：

2021-07-27

申请日：

2021-03-09

授权号：

CN113173923B

授权日：

2022-04-22

发明人：

尹新星李在房王万海胡林宋嘉兴苏振金英芝

申请人：

嘉兴学院

申请人地址：

浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科创园2号楼

代理机构：

杭州斯可睿专利事务所有限公司

代理人：

钦荣燕

优先权：

CN202110255551.2

主分类号：

C07D487/04

IPC分类号：

C07D487/04 C07F9/6561 H01L51/42 H01L51/46