一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和...
授权
摘要
本发明公开了一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法以及在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以具有刚性共轭平面的苯并二噻吩二酮为母核，其平面共轭结构和羰基的吸电子能力能改善分子堆积，并有效提升材料的空穴传输性能。本发明合成方法简单，合成成本低廉，所合成的材料具有高空穴传输能力和合适的能级；应用于钙钛矿太阳能电池中作为空穴传输层时，无需掺杂即可获得>1.12V的高开路电压和>19％的光电转化效率，具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于苯并二噻吩二酮的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113173930A
申请号 ：
CN202110461386.6
公开（公告）日 ：
2021-07-27
申请日 ：
2021-04-27
授权号 ：
CN113173930B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李在房尹新星胡林宋嘉兴苏振金英芝
申请人 ：
嘉兴学院
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区康和路1288号光伏科创园2号楼
代理机构 ：
杭州斯可睿专利事务所有限公司
代理人 ：
钦荣燕
优先权 ：
CN202110461386.6
主分类号 ：
C07D495/04
IPC分类号 ：
C07D495/04 H01L51/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D495/00
杂环化合物，在稠环系中至少有1个杂环具有硫原子作为仅有的杂环原子
C07D495/02
在稠环系中含有两个杂环
C07D495/04
邻位稠合系
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-08-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 495/04
申请日 : 20210427
申请日 : 20210427
2021-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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