电子设备及其制造方法
公开
摘要
本发明提供的一种电子设备可以包括被构造成包含多个存储单元的半导体存储器，其中，多个存储单元中的每一个可以包括：第一电极层；第二电极层；以及选择元件层，其设置在第一电极层与第二电极层之间，以基于施加电压或施加电流相对于阈值大小的大小将第一电极层与第二电极层之间的电连接进行电耦接或解耦，其中，选择元件层具有从选择元件层与第一电极层之间的界面向选择元件层与第二电极层之间的界面降低的掺杂剂浓度分布。
基本信息
专利标题 ：
电子设备及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300614A
申请号 ：
CN202110521638.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
河泰政宋政桓
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭放
优先权 ：
CN202110521638.X
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12 H01L45/00 G11C11/34
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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