电子设备及其制造方法
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摘要
本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
基本信息
专利标题 ：
电子设备及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1881639A
申请号 ：
CN200610058368.9
公开（公告）日 ：
2006-12-20
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
远池健一宫崎雅弘野口隆男山崎宽史海野健佐佐木宏文
申请人 ：
TDK株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610058368.9
主分类号 ：
H01L41/22
IPC分类号 ：
H01L41/22 H01L41/083
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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