一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构
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摘要
本发明公开了一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构。该坩埚石墨平台的外部轮廓形状为扁平的立方体,坩埚石墨平台的底部中间处设有一个凹陷结构,凹陷结构的底部开口边缘形状为正方形,凹陷结构的底部开口中心与坩埚石墨平台的底面中心重合,凹陷结构的底部开口四边与坩埚石墨平台的底面四边之间有间距,凹陷结构为曲面,该曲面由两个抛物线柱面相交而成。本发明的有益效果是:能有效地保证在铸造单晶时,坩埚底部的籽晶能够保持顶部熔化同时底部不熔化的状态,并保证在单晶生长过程中,固液界面始终为一个平面并逐步上升,使得在铸造单晶时每块籽晶上面的单晶保持垂直生长,从而达到最大的单晶率。
基本信息
专利标题 :
一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113430643A
申请号 :
CN202110672486.3
公开(公告)日 :
2021-09-24
申请日 :
2021-06-17
授权号 :
CN113430643B
授权日 :
2022-05-27
发明人 :
史珺
申请人 :
浙江普智能源装备有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市长兴县经济开发区长兴大道580号-2
代理机构 :
杭州伍博专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
熊小芬
优先权 :
CN202110672486.3
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B15/10
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-27 :
授权
2021-10-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20210617
申请日 : 20210617
2021-09-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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