高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜
授权
摘要
本发明涉及一种高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜,高残膜率正型光刻胶组合物包括包括有机溶剂和溶解在溶剂中的10wt%至70wt%溶质,溶质包括含氟烷烃和硅氧烷基团的丙烯酸共聚物、硅氧烷共聚物和1,2‑二叠氮醌类化合物,其中含氟烷烃和硅氧烷基团的丙烯酸共聚物为100重量份,1,2‑二叠氮醌类化合物为2‑30重量份。本发明的高残膜率正型光刻胶组合物包含丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物,合成固化膜时丙烯酸共聚物和硅氧烷共聚物共同作为粘合剂,该丙烯酸共聚物同时含有硅氧烷基团和氟烷烃,提高了光刻胶组合物的残膜率,同时,由该光刻胶组合物制成的固化膜,浸没在溶剂、酸或碱中或与溶剂、酸或碱接触时,有效改善了溶胀或膜与衬底出现分层的问题。
基本信息
专利标题 :
高残膜率正型光刻胶组合物及其合成方法和固化膜
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113671795A
申请号 :
CN202110802522.3
公开(公告)日 :
2021-11-19
申请日 :
2021-07-15
授权号 :
CN113671795B
授权日 :
2022-05-24
发明人 :
陈旺康威康凯
申请人 :
深圳迪道微电子科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场A601
代理机构 :
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王华
优先权 :
CN202110802522.3
主分类号 :
G03F7/075
IPC分类号 :
G03F7/075 G03F7/004
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/075
含硅的化合物
法律状态
2022-05-24 :
授权
2021-12-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/075
申请日 : 20210715
申请日 : 20210715
2021-11-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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