高敏感度正性光刻胶组合物及其合成方法和固化膜
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高敏感度正性光刻胶组合物及其合成方法和固化膜，包括有机溶剂和溶解在有机溶剂中的溶质，溶质的重量比例为15‑60%，溶质由含有侧位羟基和末端羧基的丙烯酸酯共聚物、硅氧烷共聚物、重氮萘醌类化合物和表面活性剂组成，溶质中含有侧位羟基和末端羧基的丙烯酸酯共聚物的重量比例为60‑80%，重氮萘醌类化合物与含有侧位羟基和末端羧基的丙烯酸酯共聚物的重量比为（2‑20）：100。本发明以丙烯酸酯共聚物和硅氧烷共聚物共同作为粘合剂，丙烯酸酯共聚物含有侧位羟基和末端羧基可提高聚合物在显影液中的溶解度，光刻胶在曝光过程中形成图案更为容易，进一步增强了光刻胶组合物的敏感度。
基本信息
专利标题 ：
高敏感度正性光刻胶组合物及其合成方法和固化膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545739A
申请号 ：
CN202210052776.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈旺康威康凯
申请人 ：
深圳迪道微电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市光明区凤凰街道塘尾社区光明大道与东长路交叉口东南侧南太云创谷园区2栋805
代理机构 ：
南京苏创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王华
优先权 ：
CN202210052776.2
主分类号 ：
G03F7/039
IPC分类号 ：
G03F7/039 G03F7/004
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/039
可光降解的高分子化合物，例如，正电子抗蚀剂
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/039
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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