非感光性光刻胶的涂布方法
授权
摘要
本申请公开了一种非感光性光刻胶的涂布方法，涉及半导体制造领域。该方法包括通过旋涂方式在晶圆的表面涂布非感光性光刻胶；利用N‑甲基吡咯烷酮清洗所述晶圆的边缘和背面；利用挥发性有机溶剂清洗所述晶圆的背面，所述挥发性有机溶剂用于去除残留在所述晶圆背面的N‑甲基吡咯烷酮；控制所述晶圆旋转，甩干所述晶圆的背面；解决了现有方法中在晶圆的边缘和背面清洗后容易残留N‑甲基吡咯烷酮的问题；达到了有效去除晶圆的边缘和背面残留的N‑甲基吡咯烷酮，避免传输手臂沾污，保证机台连续性生产，同时保证非感光性光刻胶的厚度满足产品需求的效果。
基本信息
专利标题 ：
非感光性光刻胶的涂布方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111524792A
申请号 ：
CN202010342187.9
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN111524792B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
朱联合吴长明姚振海陈骆王绪根韩建伟
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗雅文
优先权 ：
CN202010342187.9
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20200427
申请日 : 20200427
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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