一种高性能大功率低噪声TR芯片
授权
摘要

本发明公开了一种高性能大功率低噪声TR芯片,属于无线通信技术领域,针对现有技术中缺少一种以满足Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的功率放大器芯片,以及缺少满足满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。本发明提出了通过三级放大电路的10W放大器和通过四级放大的低噪声放大器,并同时将10W发射功率放大器和接收低噪声放大器集成在一个TR芯片上。以达到实现Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的10W放大器芯片,同时满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。

基本信息
专利标题 :
一种高性能大功率低噪声TR芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113659947A
申请号 :
CN202110854865.4
公开(公告)日 :
2021-11-16
申请日 :
2021-07-28
授权号 :
CN113659947B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
黄杨罗力伟王祁钰
申请人 :
四川益丰电子科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号
代理机构 :
成都为知盾专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
李汉强
优先权 :
CN202110854865.4
主分类号 :
H03F3/68
IPC分类号 :
H03F3/68  H03F1/56  
法律状态
2022-04-08 :
授权
2022-03-15 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H03F 3/68
变更事项 : 发明人
变更前 : 黄杨 罗力伟 王祁钰
变更后 : 黄杨 罗力伟 王祁钰 杨柯
2021-12-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 3/68
申请日 : 20210728
2021-11-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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