高密度功率模块
公开
摘要
提供了用于功率模块的方法和系统。在一个示例中，功率模块可以具有半桥配置，其具有布置在功率模块的相对侧的电气端子、布置在印刷电路板(PCB)中的半导体芯片、电耦合到电气端子并且布置在功率模块的顶板上方并与之接触的电容器、以及一个或多个连接器，这些连接器耦合到PCB以将功率模块耦合到外部电路。可通过在半导体芯片上流动冷却剂来直接冷却功率模块。
基本信息
专利标题 ：
高密度功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337318A
申请号 ：
CN202111116943.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B·布兰查德圣-雅克F·杜贝M-A·比由普勒
申请人 ：
德纳TM4股份有限公司
申请人地址 ：
加拿大魁北克
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
顾嘉运
优先权 ：
CN202111116943.7
主分类号 ：
H02M7/00
IPC分类号 ：
H02M7/00 H02M7/5387 H05K7/20
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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