具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统
实质审查的生效
摘要
本申请涉及具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统。所述电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的竖直交替的绝缘结构和导电结构；导柱，其竖直延伸穿过所述堆叠结构；以及屏障材料，其上覆于所述堆叠结构。所述电子装置包括延伸穿过所述屏障材料并进入所述堆叠结构的上部层部分的第一绝缘材料和横向邻近所述第一绝缘材料且横向邻近所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构中的至少一些的第二绝缘材料。所述第二绝缘材料的至少一部分与所述屏障材料竖直对准。
基本信息
专利标题 ：
具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388523A
申请号 ：
CN202111141861.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·古普塔A·查杜鲁S·M·I·侯赛因
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111141861.8
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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