微电子装置结构,以及相关的电子系统及方法
公开
摘要

本申请案涉及包含包括由槽结构分离的交错块结构的分层堆叠的微电子装置结构,以及相关的电子系统及方法。微电子装置包括堆叠结构,所述堆叠结构包括布置成层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列。所述堆叠结构包括第一块结构,所述第一块结构包括由顶部区域彼此间隔开的阶梯结构,所述阶梯结构各自包括界定在所述导电结构及所述绝缘结构的所述层的水平边缘处的台阶;及第二块结构,所述第二块结构水平邻近所述第一块结构并且包括由额外顶部区域彼此间隔开的额外阶梯结构,所述额外阶梯结构与所述第一块结构中的所述阶梯结构水平偏移,且槽结构延伸穿过所述堆叠结构并且插置在所述第一块结构与所述第二块结构之间。还描述了相关的微电子装置、电子系统及方法。

基本信息
专利标题 :
微电子装置结构,以及相关的电子系统及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114597215A
申请号 :
CN202111455734.5
公开(公告)日 :
2022-06-07
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
K·V·S·瓦迪韦尔胡怡H·N·贾殷
申请人 :
美光科技公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王龙
优先权 :
CN202111455734.5
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524  H01L27/11548  H01L27/11556  H01L27/1157  H01L27/11575  H01L27/11582  G11C16/04  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-06-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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