形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子...
实质审查的生效
摘要
本申请涉及用于形成微电子装置的方法，以及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括柱结构(包括半导体材料)、与所述柱结构的上部物理接触的接触结构，以及在所述接触结构上方并与所述接触结构物理接触的导电结构。所述导电结构的每一个包括具有第一水平宽度的下部、垂直覆盖所述下部并具有大于所述第一水平宽度的第二水平宽度的上部，以及垂直插入所述下部与所述上部之间并具有弧形水平边界的附加部，所述弧形水平边界界定从接近所述下部的所述第一水平宽度变化到接近所述上部的相对较大水平宽度的附加水平宽度。还描述了存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。
基本信息
专利标题 ：
形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551462A
申请号 ：
CN202111341532.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·古普塔
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111341532.8
主分类号 ：
H01L27/11548
IPC分类号 ：
H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/11575 H01L27/11582 G11C16/04
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11548
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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