半导体存储器的训练方法及相关设备
授权
摘要
本公开关于一种半导体存储器的训练方法及相关设备。该方法包括：从多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压；根据每根目标信号线在第一参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第一参考电压下的第一最小时延值；根据每根目标信号线在第二参考电压下的最小时延值，获得多根目标信号线在第二参考电压下的第二最小时延值；根据第一最小时延值和第二最小时延值，确定期望时延值所在目标区间，期望时延值为多个参考电压下多根目标信号线的最小时延值中的最大值；在目标区间内查找期望时延值，以确定期望时延值对应的参考电压作为半导体存储器的训练结果。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器的训练方法及相关设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113450852A
申请号 ：
CN202010219422.3
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN113450852B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
龙光腾许小峰连军委
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁礼君
优先权 ：
CN202010219422.3
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 G11C11/4072
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/34
申请日 : 20200325
申请日 : 20200325
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
