形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系...
公开
摘要
一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：堆叠结构，其包括绝缘结构及与所述绝缘结构垂直交替的额外绝缘结构；电介质结构，其部分地垂直延伸穿过所述堆叠结构；及电介质材料，其垂直上覆于所述堆叠结构及所述电介质结构且跨所述堆叠结构及所述电介质结构水平延伸。移除至少所述电介质材料及所述电介质结构的部分以形成垂直上覆于所述电介质结构的剩余部分且与所述剩余部分至少部分水平重叠的沟槽。用额外电介质材料基本上填充所述沟槽。还描述微电子装置、存储器装置及电子系统。
基本信息
专利标题 ：
形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114631184A
申请号 ：
CN202080074196.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗双强I·V·恰雷J·B·德胡特
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080074196.2
主分类号 ：
H01L27/11519
IPC分类号 ：
H01L27/11519 H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11519
以顶视图布局为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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