微电子装置和微电子装置制造
授权
摘要
本申请涉及微电子装置和微电子装置制造。所述设备包括：传导区段，所述传导区段包括不均匀形貌，所述不均匀形貌包括所述传导区段的在下面的材料的上表面上方突出的上表面；第一钝化材料，所述第一钝化材料基本上共形地位于所述传导区段上面；以及第二钝化材料，所述第二钝化材料位于所述第一钝化材料上面。所述第二钝化材料比所述第一钝化材料相对较厚。所述设备还包括结构元件，所述结构元件位于所述第二钝化材料上面。所述第二钝化材料的厚度足以至少在支撑所述结构元件的区域中在下面的传导区段的不均匀形貌上方提供基本上平坦的表面。还公开了微电子装置、存储器装置和相关方法。
基本信息
专利标题 ：
微电子装置和微电子装置制造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112530879A
申请号 ：
CN202010870053.4
公开（公告）日 ：
2021-03-19
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN112530879B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
K·K·柯比王钊文
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202010870053.4
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14 H01L25/16 H01L27/108 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-04-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/14
申请日 : 20200826
申请日 : 20200826
2021-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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