用于微电子和微系统的新结构以及制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明涉及一种用于制造包括表面层(2)、至少一个掩埋层(4)、以及支架的半导体结构的方法，该方法包括：在第一支架上形成由第一材料制成的第一层(4)的第一步骤，并且该第一层中的至少一个区域(26、28)由蚀刻速率高于第一材料蚀刻速率的第二材料制成；用于形成表面层(2)的第二步骤，该步骤通过在第二支架上组合该结构并打薄这两个支架中的至少一个而进行。

基本信息

专利标题：

用于微电子和微系统的新结构以及制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101032014A

申请号：

CN200580033080.X

公开（公告）日：

2007-09-05

申请日：

2005-09-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

贝尔纳·阿斯帕尔

申请人：

特拉希特技术公司

申请人地址：

法国穆瓦朗

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN200580033080.X

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762 H01L21/764

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2015-07-08 ：

发明专利申请公布后的驳回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717654342
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利申请号 : 200580033080X
申请公布日 : 20070905

2010-09-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007358575
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利申请号 : 200580033080X
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 特拉希特技术公司
变更后权利人 : S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国穆瓦朗
变更后权利人 : 法国伯尼恩
登记生效日 : 20100728

2007-10-31 ：

实质审查的生效

2007-09-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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