用于微电子和微系统的结构的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

本发明涉及一种用于微电子和微系统的结构的制造方法。具体地,涉及一种用于制造如下结构的方法,所述结构包括表面层(2、61)、至少一个掩埋层(4、34)、以及支架(6、72),所述方法包括:在第一支架(6)上制造第一结构的第一步骤,所述第一结构包括第一层(4、34),所述第一层具有由第一材料制成的第一区域以及包括空腔的至少一个第二区域,所述空腔中填充有第二材料,所述第二材料的蚀刻速率高于或低于所述第一材料的蚀刻速率;之后形成所述掩埋层以及形成所述表面层(2、61)的第二步骤,所述掩埋层由所述第一层形成,所述表面层(2、61)通过所述第一结构与第二支架(32、72)的组合而形成。

基本信息
专利标题 :
用于微电子和微系统的结构的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN102637626A
申请号 :
CN201210058695.X
公开(公告)日 :
2012-08-15
申请日 :
2005-09-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
贝尔纳·阿斯帕尔
申请人 :
S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司
申请人地址 :
法国伯尼恩
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
余刚
优先权 :
CN201210058695.X
主分类号 :
H01L21/762
IPC分类号 :
H01L21/762  B81C1/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2014-12-10 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101708439675
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利申请号 : 201210058695X
申请公布日 : 20120815
2012-10-03 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101332122823
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利申请号 : 201210058695X
申请日 : 20050927
2012-08-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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