气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
公开
摘要
公开了一种气体供应单元。示例性气体供应单元包括：设置有多个注射孔的上板；以及分隔板，其构造和布置成抵靠着上板，以引导来自注射孔的气流；其中，多个注射孔中的一个是中心注射孔，并且除多个注射孔中的所述一个之外的其他孔围绕中心注射孔同心地布置作为外注射孔；并且其中，分隔板设置有与中心注射孔流体连通的中心通孔，并且设置有朝向上板延伸的多个突起，从而形成多个区域，每个区域与外注射孔之一流体连通。
基本信息
专利标题 ：
气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293174A
申请号 ：
CN202111156103.3
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
相田高永
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111156103.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458 H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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