升降销的接触位置调整方法及检测方法和基片载置机构
实质审查的生效
摘要

本发明提供能够自动且高精度地调整升降销相对于载置于基片载置台的基片的接触位置的升降销的接触位置调整方法、升降销的接触位置检测方法和基片载置机构。接触位置调整方法包括下述步骤:在基片载置台上配置基片,在对静电吸盘的电极施加电压而吸附基片的状态下,对多个电压分别生成表示使升降销的前端从比载置面靠下方的下端位置向比载置面靠上方的上端位置移动时的电机的转矩的时间变化的转矩波形;根据多个转矩波形,求取作为升降销接触到基片的时刻的接触时间点,根据接触时间点和电机的速度计算接触位置;判断接触位置是否处于适当的范围;以及在判断为接触位置偏离适当的范围的情况下,自动调整接触位置。

基本信息
专利标题 :
升降销的接触位置调整方法及检测方法和基片载置机构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388421A
申请号 :
CN202111196924.X
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-10-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
川和敬裕
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN202111196924.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  G05B19/05  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20211014
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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