一种氮化铝陶瓷基板金属化方法
公开
摘要
本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板金属化方法，由氮化铝陶瓷板、高纯度金属银浆料、锡银铜金属浆料、铜箔组成，其组成按工艺流程进行：1)氮化铝陶瓷基板表面处理；2)氮化铝陶瓷基板表面真空镀银；3)银浆高温烧结；4)银层表面处理；5)锡银铜金属浆料印刷；6)重叠铜箔；7)真空炉焊接；本发明的有益效果是：通过一种氮化铝陶瓷基板金属化方法对氮化铝陶瓷基板金属化操作方法简单，焊接温度低，生产制作效率高成本低，附着力强度大。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化铝陶瓷基板金属化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300364A
申请号 ：
CN202111415150.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈功田
申请人 ：
郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市苏仙区观山洞街道高斯贝尔产业园
代理机构 ：
深圳市鼎圣霏凡专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐晶
优先权 ：
CN202111415150.5
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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