本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种单侧引出电压测试焊盘的单通孔跨层型电迁移测试结构，包括硅衬底层和绝缘介质层，所述硅衬底层的顶部设有所述绝缘介质层，还包括：位于所述绝缘介质层内部的金属化测试线、互连检测线和通孔；所述金属化测试线：用于进行电迁移效应的测试；所述互连检测线：用于互连和进行检测的金属线；所述通孔：用于多层级结构互连；大面积金属化的电流测试焊盘和电压测试焊盘：分别用于电流输入和电压读取。所述互连检测线包括：测试线互连段、金属互连线和电压检测线。所述测试结构，包含两层金属层，用于评价半导体器件制造过程中引起的电迁移可靠性问题。