用于验证光掩模清洁度的系统和方法
公开
摘要
本申请涉及接触浸没式光刻系统及其使用方法。示例的浸没式光刻系统包括光掩模基板和沿着光掩模基板的表面布置的至少一个传感器。浸没式光刻系统还包括具有至少一个处理器和存储器的控制器。至少一个处理器被配置为执行存储在存储器中的程序指令以便执行操作。所述操作包括从至少一个传感器接收指示至少一个传感器附近的电场的信息。所述操作还包括基于接收的信息确定以下至少一个：与光掩模基板相邻的液体层的厚度或到与光掩模基板相邻的另一基板的距离。
基本信息
专利标题 ：
用于验证光掩模清洁度的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578656A
申请号 ：
CN202111440012.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J.邓菲H.石D.哈奇森Y-J.董E.歌本哈弗N.楚伊
申请人 ：
伟摩有限责任公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
金玉洁
优先权 ：
CN202111440012.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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