一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构
公开
摘要
本发明涉及一种层环栅纳米线/片CMOS结构，包括：衬底；衬底上设置有串行连接的nMOS和pMOS；nMOS包括第一纳米体结构和环绕第一纳米体结构的第一栅电极，pMOS包括第二纳米体结构和环绕第二纳米体结构的第二栅电极；第一纳米体结构和第二纳米体结构设置于相邻的两层且由相同导电类型的半导体材料形成；第一栅电极与第二栅电极由相同功函数的导电材料形成；衬底材料为体Si或SOI；第一纳米体结构的材料为Si，第二纳米体结构的材料为SiGe。本发明nMOS和pMOS的纳米体由相同导电类型的半导体材料形成，栅电极由相同功函数的导电材料形成，因此可以同时制备，有利于提高CMOS结构及其集成电路的性能与可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种邻层环栅纳米线/片CMOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628384A
申请号 ：
CN202111462244.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈超
申请人 ：
常熟西军电技术转移有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市常福街道高新技术产业园宁波路98号
代理机构 ：
上海远诺知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尹晓雪
优先权 ：
CN202111462244.8
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238 B82Y10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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