本发明公开了一种提高氮化镓表面抗等离子体侵蚀的方法，包括以下步骤：S1)涂胶：在氮化镓晶圆上涂敷光刻胶；S2)曝光显影：根据产品掩模版进行曝光显影；S3)残胶去除：利用氧氢基等离子体去除光刻显影后氮化镓表面残留的光刻胶；S4)湿法清洗：干法去胶后进行湿法清洗；S5)沉积金属：进行沉积金属工艺以便电气连接；S6)胶剥离：金属沉积后使用剥离工艺去除光刻胶及其顶部的金属。本发明通过改变气体种类，产生了氧氢等离子体，并采用高压力模式，使得光刻胶去除速率快于传统氧基等离子体的3倍，使得氮化镓暴露于等离子体的时间缩短为氧基等离子体的三分之一，有效的减轻了等离子体对氮化镓表面的侵蚀。