本申请提供一种等离子体处理装置以及晶圆表面激活方法，等离子体处理装置包括：上壳体、下壳体、第一电极、第二电极以及第一进气管路；其中，下壳体具有进气口，进气口设置于下壳体的侧壁；上壳体和下壳体组合形成等离子体反应腔；第一电极设置于上壳体；第二电极设置于下壳体，且与第一电极相对设置；第一进气管路与进气口连通，用以向等离子体反应腔通入第一反应气体，其中，第一反应气体用于生成等离子体。通过将进气口设置于下壳体，在等离子体处理装置需要拆除上壳体维修保养时，不需要拆除与进气口连接的第一进气管路，进而避免了重新安装的第一进气管路出现气体泄漏，影响产品良率(如晶圆表面崩缺)，甚至导致产品报废的情况发生。