一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法
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摘要
本发明公开了一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法，表面处理方法包括：对氮化镓单晶基片的氮极性表面依序进行电化学腐蚀和化学腐蚀，或者对氮极性表面依序进行化学腐蚀和电化学腐蚀。采用本发明提供的表面处理方法来对氮化镓单晶基片的氮极性表面进行表面处理后，在该氮极性表面上能够获得具有原子级台阶高度和规则的六边形形状的台阶流表面。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112626622A
申请号 ：
CN202011493956.1
公开（公告）日 ：
2021-04-09
申请日 ：
2020-12-17
授权号 ：
CN112626622B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
徐耿钊李忠念陈晖刘争晖张春玉陈科蓓宋文涛徐科
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
代理机构 ：
深圳市铭粤知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙伟峰
优先权 ：
CN202011493956.1
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C25F3/12 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-04-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/10
申请日 : 20201217
申请日 : 20201217
2021-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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