一种锗基底8-12um红外波段窗口片及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种锗基底8‑12um红外波段窗口片及其制备方法，属于红外光学领域。所述窗口片以单晶锗为基底，基底的正反两面均镀有相同的红外增透膜系结构；正反面的红外增透膜膜系结构均为：基底/0.281Ge/0.475ZnSe/0.4641Ge/0.644ZnSe/0.578YbF3/0.126ZnS/空气。根据光的干涉相消和干涉相长的原理，使用多层膜结构可以使光的干涉相长达到最大，进而最大化的提高镀膜镜片的透过率。在透过率方面，由于Ge、YbF3、ZnS等镀膜材料在该透光波段内均存在吸收，同时各膜层之间的张压应力也对波段内的光存在吸收，本发明将有吸收的膜层厚度降至最低同时在第二层和第四层镀膜采用透光性能更加完善的ZnSe材料，以此提高透过率，并在镀膜过程中采用离子源助镀及离子源镀前、镀后轰击的方式来降低膜层应力以减少吸收提高透过率的同时增强膜层强度。
基本信息
专利标题 ：
一种锗基底8-12um红外波段窗口片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114200552A
申请号 ：
CN202111505244.1
公开（公告）日 ：
2022-03-18
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN114200552B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
崔丁方钱海东陈琳杨康李俊仪王博文姜俊王爽刘勇
申请人 ：
云南驰宏国际锗业有限公司
申请人地址 ：
云南省曲靖市经济技术开发区
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛飞
优先权 ：
CN202111505244.1
主分类号 ：
G02B1/115
IPC分类号 ：
G02B1/115 C23C14/26 C23C14/30 C23C14/58 C23C14/02 C23C14/06 C23C14/16 C23C14/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/10
对光学元件表面涂覆或对它进行表面处理后所产生的光学涂层
G02B1/11
抗反射涂层
G02B1/113
仅使用无机材料
G02B1/115
多层
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2022-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/115
申请日 : 20211210
申请日 : 20211210
2022-03-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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