一种超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置
实质审查的生效
摘要

本发明涉及超临界流体的技术领域,且公开了一种超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置,包括装置主体,所述装置主体的顶端安装有进料机构。该超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置,通过启动析晶收集机构内部的驱动电机,驱动电机随即带动其外侧连接的连接轴同步转动,连接轴继而带动弧形齿轮同步转动,弧形齿轮外侧啮合的转动齿轮继而同步开始转动,转动齿轮的外侧连接有轴杆,轴杆继而同步运动,随即带动其外侧连接的收集板同步运动,收集板的外侧设置有收集卡齿,收集卡齿的继而与分离釜的内壁接触,对分离釜的内壁进行刮除,将粘附在其内壁上的纳米晶体进行刮除,对纳米晶体进行统一的收集。

基本信息
专利标题 :
一种超临界二氧化碳纳米晶体制备用纳米晶体收集装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114411262A
申请号 :
CN202111543080.1
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张绍强
申请人 :
新沂市万和矿业有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市新沂市唐店镇249省道西工业聚集区(唐店村)
代理机构 :
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李永海
优先权 :
CN202111543080.1
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  B82Y40/00  B01D9/00  B01D9/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20211216
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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