本发明涉及有机半导体技术领域，具体公开了一种D‑A‑D型有机半导体材料及其制备方法和应用。本发明通过吩嗪与噻吩稠合构建出缺电子特性的五元稠环，再将其与三苯胺外围修饰基团偶联，设计合成出一种D‑A‑D型有机半导体材料。该有机半导体材料合成路线简单，成本低廉，适合大量生产。同时分子中的多氮、硫原子特征，能够增强分子与钙钛矿层的界面作用，提高空穴提取效率。以其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中时，电池的光电转化效率超过19%，且表现优异的器件稳定性能，具有重要的应用前景。