硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种硒化铅光敏薄膜的制备方法，包括步骤：以可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐为原料，采用化学浴法在衬底上沉积形成卤素掺杂的硒化铅薄膜，制得铅盐薄膜基片；采用氧化剂溶液对所述卤素掺杂的硒化铅薄膜进行化学氧化，制得氧化薄膜基片，其中，所述氧化剂溶液为H2O2溶液或K2S2O8溶液；采用卤素混合气体对所述氧化薄膜基片进行敏化处理使得所述衬底上形成硒化铅光敏薄膜；其中，所述卤素混合气体为卤气与N2或O2的混合气体。由上述方法制备的硒化铅光敏薄膜能够提高其光电灵敏度、响应速度快和分辨率高，有效延长使用寿命。另外，本发明还提供一种利用上述硒化铅光敏薄膜制备可集成光电导传感器的方法。
基本信息
专利标题 ：
硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284152A
申请号 ：
CN202111568256.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古瑞琴高胜国汪静郭海周杨志博
申请人 ：
郑州炜盛电子科技有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术开发区金梭路299号
代理机构 ：
郑州德勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
王莉
优先权 ：
CN202111568256.9
主分类号 ：
H01L21/368
IPC分类号 ：
H01L21/368 H01L21/38 H01L31/032 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/36
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/368
应用液体沉积的
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/368
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
