一种选通器、存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种选通器，所述选通器包括：选通层，所述选通层的材料包括二维Bi2O2X材料，其中X选自S、Se、Te中的至少一种。本发明通过采用二维Bi2O2X材料作为选通层，利用其平面外方向的单极性阻变行为实现选通层的功能，可以实现很好的双向导通特性。由于二维材料的特性，可以很好地降低器件深宽比，因而有利于器件的高密度。另外二维的Bi2O2X材料自身具有绝缘特性，在关态时具有较低的漏电流。同时，可通过调节材料中的氧空位以及X空位控制器件性能，该选通层有更好的调控自由度。
基本信息
专利标题 ：
一种选通器、存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447024A
申请号 ：
CN202111572179.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭文林刘峻杨海波刘广宇付志成
申请人 ：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
邵磊
优先权 ：
CN202111572179.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/24
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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