一种减薄工件厚度的方法、存储介质、装置及器件
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开了一种减薄工件厚度的方法、存储介质、装置及器件，通过增加膜平坦化步骤，解决了工件背面遗留刀痕SM的问题；进一步通过对被控量测量方式的改进，在减薄处理中分别优化了研磨和刻蚀方法。首先，本发明实施例通过正面贴膜后的平坦化步骤，解决了刀痕SM和激光退火裂纹问题；其二，本发明实施例采用非接触式测量NCG（Non‑Contact Gauges）取代接触式测量，解决了厚度的闭环控制问题；其三，本发明实施例在湿法刻蚀中也增加了非接触式测量NCG，解决了湿法刻蚀的刻蚀率ER（Etch Ratio）受刻蚀液寿命影响的问题，同样引入对控制量的检测，实现了闭环控制；进而使得WTW（Wafer To Wafer）片到片的厚度波动得以抑制，提升了产品良率和产品一致性。
基本信息
专利标题 ：
一种减薄工件厚度的方法、存储介质、装置及器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361022A
申请号 ：
CN202111577107.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈裕付先达孙运龙谭秀文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111577107.9
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/306 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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