一种大功率LED及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种大功率LED及其制备方法，包括碳化硅衬底，碳化硅衬底的一侧设置有AlN缓冲层，AlN缓冲层的一侧设置有InGaN缓冲层，InGaN缓冲层的一侧设置有非掺杂InGaN层、n型掺杂InGaN层、InGaN/GaN多量子阱层、In组分渐变锯齿型电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜，涉及半导体照明领域。本发明采用碳化硅作为LED的衬底制备GaN基蓝光LED，并采用In组分渐变锯齿型电子阻挡层，采用锯齿结构电子阻挡层的LED的电子和空穴浓度高于常规单一组分电子阻挡层的LED，并且载流子浓度分布比较均匀；并能有效减少电子的泄露，增加空穴的注入，因此提升载流子的复合率，改善LED的光学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率LED及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420810A
申请号 ：
CN202111589422.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高芳亮
申请人 ：
宜兴曲荣光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴经济技术开发区永安西路南侧
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曾令军
优先权 ：
CN202111589422.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/06 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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