一种大功率半导体光放大器增益介质的制备方法
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摘要
一种大功率半导体光放大器增益介质的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上依次生长缓冲层、n电极层、下限制层、有源层和上限制层、p电极层；沉积p型金属制作p型电极；制作增益介质串联图形；刻蚀制作脊波导结构至n电极层，形成增益介质；沉积n型金属制作电极。为了更好地控制光场采用深刻蚀工艺，刻蚀波导结构时贯穿有源区(层)，如刻蚀贯穿上限制层和有源层，刻蚀至部分下限制层。其中，分子束外延是外延制膜方法，是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率半导体光放大器增益介质的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112736645A
申请号 ：
CN202011643871.7
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-30
授权号 ：
CN112736645B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
陈嘉健陈亦凡魏玲
申请人 ：
苏州零维量点光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区13栋301D
代理机构 ：
苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
徐磊
优先权 ：
CN202011643871.7
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22 H01S5/50 H01S5/34
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/22
申请日 : 20201230
申请日 : 20201230
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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