一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法
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摘要

本发明提供了一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法,包括信号互联层、微流道结构层以及微流体接口结构层;信号互联层包括表面覆盖有接地金属层的顶层硅片以及嵌入顶层硅片内部的厚铜结构件,厚铜结构件上表面设有芯片键合面并与接地金属层相连;微流道结构层包括中间层硅片以及设置在中间层硅片内部的分流流道和合流流道,分流流道与合流流道之间平行设置有若干条冷却流道,且分流流道、冷却流道以及合流流道顺次连通;微流体接口结构层包括底层硅片以及与分流流道对应的入液口、与合流流道对应的出液口;本发明结合厚铜结构与微通道,利用高热容的冷却液工质可将发热器件的废热及时带走,散热效率可以获得显著提升。

基本信息
专利标题 :
一种集成大功率射频芯片的微流体转接板及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112768432A
申请号 :
CN202011621897.1
公开(公告)日 :
2021-05-07
申请日 :
2020-12-31
授权号 :
CN112768432B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
禹淼石归雄张洪泽黄旼朱健
申请人 :
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 :
江苏省南京市秦淮区中山东路524号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
施昊
优先权 :
CN202011621897.1
主分类号 :
H01L23/498
IPC分类号 :
H01L23/498  H01L23/367  H01L23/373  H01L23/473  H01L23/58  H01L21/48  B81B7/02  B81C1/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-05-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20201231
2021-05-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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