一种半导体晶圆干刻后清洗工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体晶圆干刻后清洗工艺，半导体晶圆包括裸露的铝结构层；包括以下步骤：S1：清洗剂A预清洗晶圆的干刻有机残留物，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；S2：用主要组成为氟离子源的清洗剂B清洗去除晶圆的牺牲层，清洗完毕后，用水溶性有机溶剂清洗晶圆；S3：超纯水清洗晶圆，干燥晶圆；按质量百分比计，清洗剂A的主要组成为30～60%的硫酸、22~53%的有机溶剂、15～25%的水和0.01～0.8%的第一复配缓蚀剂，第一复配缓蚀剂的主要组成为氨基酸类缓蚀剂、巯基杂环化合物和无机酸缓蚀剂。本发明半导体晶圆干刻后清洗工艺充分去除干刻残留和牺牲层并将对铝结构层的腐蚀维持在较低程度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆干刻后清洗工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114273320A
申请号 ：
CN202111590538.9
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王磊承明忠符佳立
申请人 ：
江阴江化微电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市周庄镇长寿云顾路581号
代理机构 ：
无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜兴
优先权 ：
CN202111590538.9
主分类号 ：
B08B3/08
IPC分类号 ：
B08B3/08 B08B3/04 H01L21/02 C11D7/08 C11D7/32 C11D7/50 C11D7/60 C11D1/72 C11D1/74 C11D3/04 C11D3/22 C11D3/43 C11D3/60
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B08
清洁
B08B
一般清洁；一般污垢的防除
B08B3/00
使用液体或蒸气的清洁方法
B08B3/04
与液体接触的清洁
B08B3/08
具有化学作用或溶解作用的液体
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B08B 3/08
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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