一种半导体光刻胶清洗剂
公开
摘要
本发明公开了一种半导体光刻胶清洗剂，属于清洗剂技术领域，其制备方法包括如下步骤：S1、纳米二氧化硅‑DNA复合物的制备；S2、原料称取；S3、超声波‑磁场辅助搅拌处理。本申请提供了一种半导体光刻胶清洗剂，可以去除半导体材料表面的光刻胶和其他刻蚀残留物，同时对铜、铝等金属以及非金属TEOS几乎没有腐蚀性，并且能修补半导体材料表面腐蚀和微观缺陷，降低半导体材料表面的损伤层和粗糙度，从而显著提升半导体材料的品质。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体光刻胶清洗剂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609874A
申请号 ：
CN202210406697.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
关美英关雯关剑英
申请人 ：
池州市鼎弘半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市龙腾大道以南凤鸣大道以东
代理机构 ：
深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
田琼
优先权 ：
CN202210406697.7
主分类号 ：
G03F7/42
IPC分类号 ：
G03F7/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/26
感光材料的处理及其设备
G03F7/42
剥离或剥离剂
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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