一种矩形回环凹槽微结构的太赫兹超材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明提出一种矩形回环凹槽微结构的太赫兹超材料及其制备方法,具有可在太赫兹波段支持电磁诱导透明共振的表面结构,所述表面结构以在硅片表面周期性排列的矩形回环图案单元形成太赫兹波段的电磁诱导透明共振结构;所述矩形回环图案单元以金属线成型,包括外部的封闭方环和位于封闭方环内中央位置处的U型分裂环,封闭方环和U型分裂环之间按太赫兹超材料所需对应的共振频率不同来设定为平整面或凹槽;当表面结构对太赫兹波进行电磁诱导时,以硅片含所述表面结构的一端朝向太赫兹波的入射端,以硅片不含所述表面结构的另一端朝向太赫兹波的出射端;本发明通过光刻技术、IBE离子束刻蚀和深硅刻蚀,能在同个硅片表面制备两种不同的回环凹槽微结构。

基本信息
专利标题 :
一种矩形回环凹槽微结构的太赫兹超材料及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114275734A
申请号 :
CN202111593583.X
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄异林廷玲钟舜聪张政浩黄永林
申请人 :
福州大学
申请人地址 :
福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学
代理机构 :
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 :
郭东亮
优先权 :
CN202111593583.X
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00  C23C14/04  C23C14/16  C23C14/35  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20211224
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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