一种高度测量方法、装置及固晶装置
公开
摘要
本发明提供了一种高度测量方法、装置及固晶装置，该高度测量方法包括如下步骤：测量图像测量装置距离固晶平台的初始高度时的光斑宽度L；把固晶平台上升H的高度，这个高度为固晶工作时的高度，通过图像测量装置测量固晶平台上两个光斑之间的初始距离L1；光斑距离测量步骤：任意时刻，通过图像测量装置测量基板上左光斑和右光斑之间的距离L2；高度偏差计算步骤：任意时刻，基板高度相对于固晶平台的高度偏差为Δh，Δh=H*|（L1‑L2）/（L‑L1）|。本发明的有益效果是：本发明通过二束交叉光源打在基板上形成两个点光斑，用图像测量装置测量两个光斑的距离，形成了一个与该距离对应的基准高度；通过比较和测量不同的光斑距离，可计算获得对应不同的基板高度或对应平整度。
基本信息
专利标题 ：
一种高度测量方法、装置及固晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300373A
申请号 ：
CN202111629768.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾逸邓应铖
申请人 ：
深圳市卓兴半导体科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道应人石社区文川路友晟纸业旁厂房一层
代理机构 ：
深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司
代理人 ：
姜书新
优先权 ：
CN202111629768.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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