光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置
公开
摘要
本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作为一个整体对入射光进行作用，使得抗反射膜在较宽光谱范围内均具有低反射率。
基本信息
专利标题 ：
光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300493A
申请号 ：
CN202111633730.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁春超樊堃谭信辉
申请人 ：
杭州海康威视数字技术股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区阡陌路555号
代理机构 ：
北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人 ：
申健
优先权 ：
CN202111633730.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L31/0216
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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